不得不說，科技的發(fā)展真是日新月異，這點(diǎn)在手機(jī)行業(yè)上體現(xiàn)的淋漓盡致。目前手機(jī)芯片的制程已經(jīng)來到了4納米，得益于如此先進(jìn)的工藝，手機(jī)性能相比以前有了突飛猛進(jìn)的提升。小智還記得曾經(jīng)手機(jī)芯片在做到20納米以下時(shí)就有不少人表示達(dá)到了歷史性突破
而從20納米到10納米也就5年不到的時(shí)間，接著從10納米到7納米，5納米，再到現(xiàn)在的4納米也就用了3年左右的時(shí)間，前不久還有不少專家認(rèn)為，4納米已經(jīng)是手機(jī)芯片的極限工藝，不可能再小了
但事實(shí)真的如此嗎？作為在手機(jī)芯片技術(shù)上處于絕對全球領(lǐng)先地位的大廠臺(tái)積電，在近日的2022年技術(shù)研討會(huì)上正式介紹了關(guān)于未來先進(jìn)制程的消息，臺(tái)積電表示就在今年，3納米工藝將正式投入量產(chǎn)，而普通消費(fèi)者用上搭載3納米芯片的手機(jī)，最早年底就行了
并且臺(tái)積電還給出了3納米芯片的一系列特殊版本，有N3E、N3P、N3X等，臺(tái)積電首先介紹了3納米芯片的FINFLEX版本，它包括了3-2 FIN、2-2 FIN和2-1 FIN等幾種，分別能夠滿足不同需求
其中3-2 FIN – 最快的時(shí)鐘頻率和最高的性能滿足最苛刻的計(jì)算需求；2-2 FIN – Efficient Performance可以在性能、功率效率和密度之間的良好平衡；2-1 FIN – 超高能效、最低功耗、最低泄漏和最高密度。但高潮并不僅于此，臺(tái)積電還公布了2納米芯片
2納米芯片將在2025年量產(chǎn)，這是其第一個(gè)使用環(huán)繞柵極晶體管 (GAAFET) 的節(jié)點(diǎn)，而非現(xiàn)在的 FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)。新的制造工藝將提供全面的性能和功率優(yōu)勢。在具體參數(shù)方面
相同功耗下，2納米比最先進(jìn)的3納米芯片速度要快10~15%，相同頻率下，功耗則降低l 了 25~30%。同時(shí)相比3納米，2納米僅將芯片密度提高了10%左右。雖然2納米芯片的真正實(shí)力到底會(huì)強(qiáng)成什么樣還不得而知，但可以想象3年之后的手機(jī)或?qū)⒆兂扇?span id="zlpviq7" class="wpcom_tag_link">物種！
