臺積電(TSMC)無疑在以ARM為基礎的芯片組制造領域的領導者。
該公司的現(xiàn)代4nm工藝現(xiàn)在正被聯(lián)發(fā)科和高通使用。臺積電也是蘋果A系列芯片的重要合作伙伴，盡管蘋果一直在投資5nm工藝。
雖然高通在今年年初使用了三星電子的制造工藝，但是由于受熱和效率低下，并沒有讓高通滿意，特別是對驍龍8Gen1的推廣受影響。
所以高通決定轉移到臺積電，并在合作關系下代工驍龍8+ Gen 1。臺積電在明年成為高通主要力量，該公司已經(jīng)詳細規(guī)劃了3nm和2nm制造工藝。
這家總部位于臺灣的芯片制造商將于今年下半年推出3nm芯片，在2025年將2nm技術推向世界舞臺。3nm節(jié)點將出現(xiàn)在五個級別。這將在功率、晶體管數(shù)量和效率方面有所不同。
它們分別是:N3、N3E(增強)、N3P(性能增強)、N3S(密度增強)和N3X(超高性能)。
該公司還透露了一些關于2nm節(jié)點的細節(jié)。根據(jù)他們的說法，在相同的功率消耗下，即將推出的節(jié)點將提高性能10%到15%。
與N3E節(jié)點相比，在相同頻率和相同晶體管數(shù)量的情況下，它們將減少25%到30%的消耗。
與N3E相比，N2將使芯片密度增加1.1倍。臺積電借此機會推出了GAAFETs(即柵全能場效應晶體管)。新的納米片晶體管將通過減少電阻來提高每瓦特的性能。
我們已經(jīng)習慣了每年都有新的制造工藝問世。
然而，到2024年，臺積電和三星公司似乎會堅持使用更高效的3nm工藝。三星電子向投資者介紹說，正在準備在今年上半年(1 ~ 6月)將基于gaa的3nm工藝投入生產(chǎn)。
三星Foundy將于2022年批量生產(chǎn)3nm芯片。同樣，其2nm芯片也將于2025年投產(chǎn)。
喜歡點贊收藏！歡迎關注SevenTech!
